近日,韓媒ZDNet Korea報道稱,三星將使用長江存儲專利技術,系歷史首次。
據悉,近期三星電子已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發堆疊400多層NAND Flash所需的“混合鍵合”(Hybrid Bonding)技術的專利許可協議,以便從其第10代(V10)NAND Flash產品(430層)開始使用該專利技術來進行制造。
三星電子作為存儲芯片行業的領頭羊,從中國企業獲得專利授權比較罕見。
報道稱,三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權,主要由于目前長江存儲在“混合鍵合”技術方面處于全球領先地位。
三星經過評估認為,從下一代V10 NAND開始,其已經無法再避免長江存儲專利的影響。
與三星相比,長江存儲是一個后起之秀,2016年成立于武漢,至今不到10年。相對于快速搶市場,長江存儲選擇把大部分精力放在了技術創新以及專利布局等工作上,不僅為推進技術進步,更為了在專利戰中獲得勝利。
截至目前,長江存儲專利申請數量超過1萬件。2023年11月8日,長江存儲以八件專利起訴美光之后,又在2024年7月追加了11件專利的起訴,兩案并案處理。長江存儲向美光起訴專利侵權也有一定象征意義,不僅顯示出了自身技術的領先性,也體現出國內企業在面對外界打壓的頑強性。
對于長江存儲來說,此次向三星這樣的頭部存儲技術大廠提供專利許可,屬于中國存儲產業歷史上的首次,充分凸顯長江存儲在3D NAND領域的技術創新實力。
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來源: 快科技、知識產權信息網等
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